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那种原因会影响真空镀膜机iTO薄膜
发布时间:2014-08-15 浏览:5117 次

  ITO薄膜在溅镀过程中会产生不同的特性,有时候表面光洁度比较低,出现“麻点”的现象,有时候会出现高蚀间隔带。

  在蚀刻时还会出现直线放射型缺划或电阻偏高带,有时候会出现微晶沟缝。

  各种特性的产生一般取决于靶材和玻璃的选用,溅镀时所使用的温度和运动方式。

  当前常用的ITO靶材制作是通过烧结法生产的,就是由氧化铟(In2O3)和氧化锡(SnO2)粉末按照一定的比例进行混合,通常质量比是90%In2O3和10% SnO2,再通过一系列的生产工艺加工成型后,以1400℃~1600℃高温通氧气烧结,最终形成的黑灰色陶瓷半导体(氧化铟锡,ITO)。

  一般通过外观就可以了解ITO靶材的质量,深灰色是最好的,相反越黑质量越差,我国生产的ITO靶材质量还可以的是黑灰色的。

  经过研究,在真空镀膜机ITO薄膜溅镀过程中,使用磁控溅射的方式,基底温度控制在200℃左右可以保证薄膜85%以上高可见光透过率下,电阻率达到最低,而薄膜的结晶度也随着基底温度的提高而提高,晶粒尺寸也逐渐增大。

  超过200℃后透射率趋于减弱;使用电子束蒸镀的方式,随着退火温度升高,晶粒尺寸变大,表面形貌均一稳定,超过600℃后颗粒变得大小不一,形状各异,小颗粒团聚现象严重,薄膜表面形貌破坏。

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